硅烷（SiH?）是半導(dǎo)體制造中化學(xué)氣相沉積（CVD）、外延生長等核心工藝的關(guān)鍵前驅(qū)體：在CVD工藝中，硅烷通過熱分解或等離子體激發(fā)，在晶圓表面沉積硅薄膜、氮化硅（Si?N?）或氧化硅（SiO?）；在硅外延工藝中，硅烷作為硅源，與氫氣反應(yīng)生成單晶硅外延層，支撐先進(jìn)制程中芯片的晶體質(zhì)量。

但硅烷具、易燃、易爆的特性：其職業(yè)接觸限值（TLV-TWA）僅為5ppm，短期接觸（TLV-STEL）不超過10ppm，泄漏后與空氣接觸可自燃（自燃溫度約20℃），燃燒產(chǎn)物為二氧化硅和水，同時(shí)釋放劇毒氣體；若濃度達(dá)到1.4%~96%（體積分?jǐn)?shù)），還可能引發(fā)爆炸。因此，半導(dǎo)體工廠需對硅烷存儲(chǔ)鋼瓶間、輸送管路接口、CVD反應(yīng)腔體、尾氣處理裝置等高風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域進(jìn)行24小時(shí)在線監(jiān)測，確保泄漏隱患在“劇毒暴露"和“燃爆風(fēng)險(xiǎn)"發(fā)生前被精準(zhǔn)識別。

1. 低濃度高精度檢測，覆蓋劇毒與燃爆雙重風(fēng)險(xiǎn)

• 量程與分辨率：采用進(jìn)口電化學(xué)傳感器（針對劇毒特性）支持0-10ppm（監(jiān)測），最小分辨率達(dá)0.1ppm，可精準(zhǔn)捕捉“微量泄漏"（如管道接口0.5ppm緩慢泄漏）和“大量泄漏"（如鋼瓶閥破裂導(dǎo)致的LEL級濃度），滿足“預(yù)警"與“需求。

• 抗交叉干擾算法：內(nèi)置硅烷特異性識別算法，可有效排除半導(dǎo)體車間常見氣體（如氨氣、氫氣、氟化氫）的交叉干擾，檢測誤差≤±3%FS，避免因其他氣體共存導(dǎo)致的“誤報(bào)/漏報(bào)"。

2. 快速響應(yīng)與全鏈路聯(lián)動(dòng)處置

• 極速響應(yīng)性能：傳感器響應(yīng)時(shí)間≤5秒（T90），配合“泄漏擴(kuò)散預(yù)判模型"，可提前15秒預(yù)測泄漏擴(kuò)散路徑（基于車間氣流模擬），為緊急處置爭取時(shí)間。

• 多維度聯(lián)動(dòng)控制：支持與半導(dǎo)體工廠氣體監(jiān)控系統(tǒng)（GMS）、工藝設(shè)備PLC、消防系統(tǒng)聯(lián)動(dòng)：當(dāng)檢測到硅烷濃度≥5ppm（TLV-TWA）時(shí)，自動(dòng)啟動(dòng)區(qū)域排風(fēng)（換氣次數(shù)≥20次/小時(shí)）；濃度≥50%LEL時(shí)，立即切斷硅烷氣源閥門（通過電磁閥聯(lián)動(dòng)），并觸發(fā)消防報(bào)警系統(tǒng)（如啟動(dòng)惰性氣體滅火裝置），形成“監(jiān)測-預(yù)警-處置-滅火"閉環(huán)。

3. 數(shù)據(jù)智能管理與合規(guī)追溯

• 全生命周期數(shù)據(jù)記錄：內(nèi)置工業(yè)級存儲(chǔ)芯片，支持≥100萬條檢測數(shù)據(jù)（含濃度、時(shí)間、設(shè)備狀態(tài)）存儲(chǔ)，數(shù)據(jù)可通過OPC UA協(xié)議對接半導(dǎo)體工廠MES系統(tǒng)，滿足SEMI S8（半導(dǎo)體設(shè)備安全標(biāo)準(zhǔn)）中“危險(xiǎn)氣體泄漏日志至少留存3年"的合規(guī)要求。

• 遠(yuǎn)程監(jiān)控與診斷：配備7英寸觸控屏，支持本地參數(shù)設(shè)置與數(shù)據(jù)查看；同時(shí)通過5G/以太網(wǎng)接入深國安云平臺(tái)，可實(shí)時(shí)查看多區(qū)域濃度曲線、設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)，并支持異常數(shù)據(jù)自動(dòng)推送至管理人員手機(jī)端（短信/APP告警）。